8、脉冲强磁场实验装置。跻身世界上“最好”的脉冲场之列，在电源设计和磁体技术方面取得的成就位列世界顶级。

于2008年4月开工建设的脉冲强磁场实验装置是我国十一五期间计划建设的十二项国家重大科技基础设施之一，也是教育部所属高校承建的第一个国家重大科技基础设施项目，计划投资1.33亿元，建设周期为5年，建成后将成为世界四大脉冲强磁场科学中心之一。[1] 

2014年10月23日，我国“十一五”期间部署建设的国家重大科技基础设施项目——脉冲强磁场实验装置，在华中科技大学通过国家验收，正式宣告我国拥有了国际顶级水平的脉冲磁场实验装置。验收委员会主任、教育部副部长杜占元参加验收。